Одноканальный контроллер ключевого стабилизатора напряжения
СОДЕРЖАНИЕ: В отличие от функционально завершенных модулей стабилизаторов BP5220…BP5222 с фиксированными выходными напряжениями и ограниченными токами нагрузки, позволяет создавать источники питания с любыми выходными напряжениями и токами.Одноканальный контроллер ключевого стабилизатора напряжения
Микросхема BD9300 является основой для построения ключевых стабилизаторов напряжения. В отличие от функционально завершенных модулей стабилизаторов BP5220…BP5222 с фиксированными выходными напряжениями и ограниченными токами нагрузки, позволяет создавать источники питания с любыми выходными напряжениями и токами.
Отличительные особенности
Широкий диапазон входных напряжений 3, 6 …35 В.
Встроенная схема защиты от коротких замыканий и от пониженного входного напряжения.
Нулевой ток потребления в выключенном состоянии.
Широкий диапазон регулирования частоты ШИМ 20…800 кГц.
Области применения
Источники питания общего назначения
Стабилизаторы напряжения, в том числе с выходным напряжением выше 35 В.
Рис. 1. Структурная схема BD9300
Таблица 1. Назначение выводов ИС BD9300
| Номер вывода |
Обозначение |
Функциональное назначение |
| 1 |
DTC |
Вход управления ШИМ |
| 2 |
RT |
Внешний резистор, задающий частоту преобразования |
| 3 |
CT |
Внешний резистор, задающий частоту преобразования |
| 4 |
FB |
Выход усилителя ошибки |
| 5 |
OUT |
Выход ШИМ |
| 6 |
NC |
Не используется |
| 7 |
GND |
Общий |
| 8 |
Vcc |
Напряжение питания (входное напряжение) |
| 9 |
SCP |
Внешний конденсатор, задающий задержку срабатывания Защиты от короткого замыкания (соединяетя с GND, если не Используется) |
| 10 |
CTL |
Вход управления (ВКЛ/ВЫКЛ) |
| 11 |
Vref |
Выход внутреннего источника опорного напряжения |
| 12 |
INV |
Инвертирующий вход усилителя ошибки |
|
13 |
1/2 Vref |
опорного напряжения с внутреннего делителя |
| 14 |
NON |
Неинвертирующий вход усилителя ошибки |
Рис. 2. Схема включения BD9300 в источнике питания
R1 = R9 =30 kW, R2= R7=20 kW, R3= 33 kW, R4 = 56 kW, R5 = R6 =500 W, R8 = 90 kW,
C1=C3=C5=0, 1 mF, C4=C8= 10 mF, C7= 200pF, C5=100 pF, C6= 1000 pF, C2=0, 033 mF,
VT1 – любой силовой p-n-p транзистор в зависимости от тока нагрузки, величина L1 выбирается из условий баланса энергии в контуре L1-нагрузка – C8 – VD1, и для тока нагрузки 0, 5 А и частоты ШИМ 200 кГц составляет 150 мкГн.