«Влияние гидрогенизации на электрофизические свойства эпитаксиальных структур Cd X hg 1 X te»
СОДЕРЖАНИЕ: В представленных статьях исследовано влияние гидрогенизации пленок CdxHg1-xTe (крт) с Х 22, выращенных методом млэ, на концентрацию носителей заряда в них. Гидрогенизация осуществлялась посредством кипячения пленок крт в деионизованной водеРЕФЕРАТ работы, представленной на конкурс научных работ ИФП СО РАН
«Влияние гидрогенизации на электрофизические
свойства эпитаксиальных структур CdX Hg1- X Te»
Авторы: Ю.Г. Сидоров, В.С. Варавин, Г.Ю. Сидоров, М.О. Гарифуллин.
В представленных статьях исследовано влияние гидрогенизации пленок Cdx Hg1- x Te (КРТ) с х=0.22, выращенных методом МЛЭ, на концентрацию носителей заряда в них. Гидрогенизация осуществлялась посредством кипячения пленок КРТ в деионизованной воде.
В пленках КРТ n-типа наблюдалось изменение типа проводимости, а в пленках p-типа - увеличение концентрации дырок. Измерения при послойном стравливании показали, что после кипячения у поверхности формируется тонкий слой с высокой концентрацией дырок (до 1019 см-3 ). С увеличением глубины концентрация резко уменьшается и выходит на почти постоянный уровень. Последующий отжиг приводит к выравниванию профиля распределения акцепторов по всей толщине пленки КРТ и увеличивает их концентрацию до уровня более 1018 см-3 . Согласно расчетам равновесная концентрация вакансий в подрешетке металла в КРТ при температуре 1000 С не превышает величины 1. 1015 см-3 . Анализ примесей методом ВИМС в пленках КРТ показал, что после гидрогенизации концентрация примесей p-типа лишь в несколько раз превышает исходную.
Анализ полученных данных показывает, что во время контакта КРТ с водной средой происходит постепенное насыщение приповерхностного слоя КРТ электрически нейтральными гидридоподобными соединениями или хемосорбированным водородом. Водород из приповерхностного слоя диффундирует в КРТ с образованием двух типов акцепторов – быстро- и медленнодиффундирующих, с коэффициентами диффузии (1-10). 10-11 см2 /с и 2. 10-13 см2 /с, соответственно. Предполагается, что быстрые акцепторы – это атомарный водород в междоузлиях, а медленные акцепторы – атомы водорода в узлах подрешетки металла. Отжиг образцов ускоряет переход водорода из нейтральной формы в акцепторную.
В производстве ИК фотодиодов на основе КРТ присутствуют технологические процессы, при которых появление атомов водорода в КРТ неизбежно (химическая обработка в растворах и сухое плазмохимическое травление). Поскольку для создания современных фотоприемных структур необходим точный контроль концентрации носителей заряда в слоях и долговременная стабильность параметров материала, исследование вопросов связанных с гидрогенизацией является чрезвычайно важным.
В литературе имеется ограниченное число экспериментальных работ посвященных гидрогенизации КРТ, при этом приводятся противоречивые данные об электрической активности водорода в КРТ.
В наших работах впервые исследовано распределение акцепторов по толщине образцов после гидрогенизации и установлено, что водород образует в КРТ по крайней мере два типа акцепторных центров.