JFIF``C   %# , #&')*)-0-(0%()(C   (((((((((((((((((((((((((((((((((((((((((((((((((((W" }!1AQa"q2#BR$3br %&'()*456789:CDEFGHIJSTUVWXYZcdefghijstuvwxyz w!1AQaq"2B #3Rbr $4%&'()*56789:CDEFGHIJSTUVWXYZcdefghijstuvwxyz ?(((((((((((((Ep~%Mص߉<6<ݹz҅ THM5N^e"i8),2/#9@Oxs=xߋGExu[("/#K q]-c>zWaC0Q(/6FeS^ jc7]߄~?x@Ӭncmrdkb J88GciG7ı1{fvzѿi&S7ׇ1$qwnc9~_5q8 (a}wsh2X( ( Q_<ޓ ` o67g8^$bt?OF +C6YUnю:'(peZ^jC_?x3Uߊ>/}@kY|_79׫SQj[bc֌s_-h֧.;ܵ*!'9=dO/z?FԿo6"?3H3~6fqھ{pQt*NɝQ^YaEPEPEPEPEPEPEPEPEPEPEPEPEPEPEPEPEPEPEPEPEPEPEPEPEPEPEPEPEPEPEPEPEPEPEPEPEPEPEPEPEPEPEPEzϏHMaS[N=^?~ȅ.؍a1өۗv0_#&}95gi" \ | ~wb|{Jvn4K~'AFuoؼ!E7k,K&YC) ,l,|r-w_q[8eI(B#.I\ގZxr3W3jg/-ͳ$2Arf}sfF-\b 3X%쑣%zIs].mYdeWb4]_؏ KVTm0}T[qDV".u$O~:M/gϙm#?_捷?Ι1hLCW~Nt Efqҽ"mIXYt,&D C7IiFBP;!9-/mVlŭo1Ox%'GS JcCۉ>,p9!Tnw 1TGlg!o|O MǠ$VuyFviQ-ό̾(VW#BH"G˱Xм=\i$C"ѻ$l?tHZHʹJ|eg<62hj =sm/-&[kr~L NfMⴓM޺[ DŽVPX2Aںυ jn5L#YncHPXqj OI4}#ٿn9ڽ}+hq-8͹^TefVV\-u魷9m:|CWzW&߶M{ ,G$9wyeYټtо:Q + ?xgcGh~73:=̻b+d2(5i6jrQ IHZ3r0*1؜4R|M$fi+,Gm[ͅdž-]Dvʛ6i؎Cu'7=ǁYxcFa PZ#dvFxfcQG=G$N`pA6b6%Ec8ݴ '5x\SSmǕtT޻/x@<[:֙a;jRH]]G1Ddc^#z;YO+YaKdUaٔhA#q5\ wB9@VXF[O4nXCg ;6!g+kIzȭIe#gc`65 =/]ӼSal-}:+c2do:14Y7ڴŠuB9G(_/˕5O?#?<Uz !˿g+YmIdD`e!G E:xu;k~I7ݷ77OZQէEi-RKFF,MCɧu%0&@ưA{Hmvq[x=&m&ɑe)RGs!?Уpz8|iE:!{O*apguSy(Bq$KΎ3hℤlKo]c&.B+(}a ^Uy ,Ėff$fbY,I$IQ@Q@Q@Q@Q@Q@Q@Q@Q@Q@Q@Q@Q@Q@Q@Q@Q@Q@Q@Q@Q@Q@Q@Q@Q@Q@Q@Q@Q@Q@Q@Q@Q@Q@Q@Q@Q@Q@Q@Q@Q@Q@r\֓z"8WEPEPEPEPEP)uag]]r_MuEPEPExPE~{Pamm̾ZIgUUm=o2;o' \I恀X,dF:ڣi]6v1yVX3YYff$$I&PEPEPEPEPEPE'7z&ounVe=[[ͣZYeuɩ1}>FU@J$H23k֙cL).g?cps2V_X5M#- hY@E H {};-#n<ϴ}wjgQ:+̗V5MZ(^><HFgtq$pTVKNuPk戼O9 Wn.'_p]ZZX6q^B4QsPNX{C~r|Bĺqk}JhM HY+ETS@߻:+& S?o`?ݷ +& S?o`?ݷ +& S?o`?ݷ +& S?o`?ݷ +& S. S$w00T )#W {FfkY%dIVFH,UH*555u-bMwQHgqYT[T[70j{C~70j{C~R}2[j"vfbBIff!UTĀ$ -_"9"W%}Y\sB@b;qGt#o^LWw%6esI j %"bhqtƭ_R!ۻ[-Sb9pJs& Sآo`?ݷ& Sآo`?ݷ& Sآo`?ݷ& Sآo`?ݷ& Sآo`?ݷ& Sآo`?ݷ& SخG]Ƨ5DMl$Gߵ}s|E{s뚫JH;=xd߻o3@|B}{Nѥ,6io7y\6}r9<)!{kS71:-[{ouMܨ0ϒkɽTvf5OmhtԮ-W1WY[1]{-ujZhӵ&OiRVf5,UPŠc70j{C~r=զ|`mcw+?zbڽoձ]?fxv|u%"XBr -, ܱ y#66:ޱq[K TFԥSdߒ-BrpȎD3(x/Ѭ^YKMl3b I$f? jCGukΦ(P((((((((((|yumпряжение [pic] в (10.3) имеет знак « - ». При инверсном включении в уравнения (10.3), (10.8) следует подставлять противоположные полярности напряжений [pic], [pic]. При этом различия между инверсным и активным режимами носят только количественный характер. Для активного режима, когда [pic] и [pic] (10.6) запишем в виде [pic]. Учитывая, что обычно [pic] и [pic], уравнение (10.7) можно упростить: [pic] (10.11) Таким образом, в идеализированном транзисторе ток коллектора и напряжение эмиттер-база при определенном значении тока [pic] не зависят от напряжения, приложенного к коллекторному переходу. В действительности изменение напряжения [pic] меняет ширину базы из-за изменения размеров коллекторного перехода и соответственно изменяет градиент концентрации неосновных носителей заряда. Так, с увеличением [pic] ширина базы уменьшается, градиент концентрации дырок в базе и ток [pic] увеличиваются. Кроме этого, уменьшается вероятность рекомбинации дырок и увеличивается коэффициент [pic]. Для учета этого эффекта, который наиболее сильно проявляется при работе в активном режиме, в выражение (10.11) добавляют дополнительное слагаемое [pic] (10.12) [pic] - дифференциальное сопротивление запертого коллекторного p-n- перехода. Влияние напряжения [pic] на ток [pic] оценивается с помощью коэффициента обратной связи по напряжению [pic], который показывает, во сколько раз следует изменять напряжение [pic] для получения такого же изменения тока [pic], какое дает изменение напряжения [pic]. Знак минус означает, что для обеспечения [pic]= const приращения напряжений должны иметь противоположную полярность. Коэффициент [pic] достаточно мал ([pic]), поэтому при практических расчетах влиянием коллекторного напряжения на эмиттерное часто пренебрегают. В режиме глубокой отсечки оба перехода транзистора смещены в обратном направлении с помощью внешних напряжений. Значения их модулей должны превышать [pic]. Если модули обратных напряжений приложенных к переходам транзистора окажутся меньше [pic], то транзистор также будет находиться в области отсечки. Однако токи его электродов окажутся больше, чем в области глубокой отсечки. Учитывая, что напряжения [pic] и [pic] имеют знак минус, и считая, что [pic] и [pic], выражение (10.9) запишем в виде [pic] [pic] (10.13) Подставив в (10.13) значение [pic], найденное из (10.8), и раскрыв значение коэффициента А, получим [pic] [pic] (10.14) что [pic], а [pic], то выражения (10.14) существенно упростятся и примут вид [pic] [pic] (10.15) где [pic]; [pic] Из (10.15) видно, что в режиме глубокой отсечки ток коллектора имеет минимальное значение, равное току единичного p-n-перехода, смещенного в обратном направлении. Ток эмиттера имеет противоположный знак и значительно меньше тока коллектора, так как [pic]. Поэтому во многих случаях его считают равным нулю: [pic]. Ток базы в режиме глубокой отсечки приблизительно равен току коллектора: [pic] (10.15) Режим глубокой отсечки характеризует запертое состояние транзистора, в котором его сопротивление максимально, а токи электродов минимальны. Он широко используется в импульсных устройствах, где биполярный транзистор выполняет функции электронного ключа. При режиме насыщения оба p-n-перехода транзистора с помощью приложенных внешних напряжений смещены в прямом направлении. При этом падение напряжения на транзисторе ([pic]) минимально и оценивается десятками милливольт. Режим насыщения возникает тогда, когда ток коллектора транзистора ограничен параметрами внешнего источника энергии и при данной схеме включения не может превысить какое-то значение [pic]. В то же время параметры источника внешнего сигнала взяты такими, что ток эмиттера существенно больше максимального значения тока в коллекторной цепи: [pic]. Тогда коллекторный переход оказывается открытым, падение напряжения на транзисторе—минимальным и не зависящим от тока эмиттера. Его значение для нормального включения при малом токе [pic] ([pic]) равно [pic] (10.16) Для инверсного включения [pic] (10.16) В режиме насыщения уравнение (10.12) теряет свою справедливость. Из сказанного ясно, что, для того чтобы транзистор из активного режима перешел в режим насыщения, необходимо увеличить ток эмиттера (при нормальном включении) так, чтобы начало выполняться условие [pic]. Причем значение тока [pic], при котором начинается этот режим, зависит от тока [pic], определяемого параметрами внешней цепи, в которую включен транзистор. 
© 2018 Biblioтека интересных материалов. All rights reserved.