20 задач по промышленной электронике

Реферат - Радиоэлектроника

Другие рефераты по предмету Радиоэлектроника



Задача1……………………………………………………………………2

Задача2……………………………………………………………………2

Задача3……………………………………………………………………3

Задача4……………………………………………………………………7

Задача5…………………………………………………………………...11

Задача6…………………………………………………………………...12

Задача7…………………………………………………………………...13

Задача8…………………………………………………………………...14

Задача9…………………………………………………………………...15

Задача10………………………………………………………………….17

Задача11………………………………………………………………….18

Задача12………………………………………………………………….20

Задача 13…………………………………………………………………22

Задача 14…………………………………………………………………23

Задача 15…………………………………………………………………24

Задача 16…………………………………………………………………26

Задача 17…………………………………………………………………28

Задача 18…………………………………………………………………29

Задача 19…………………………………………………………………31

Задача 20…………………………………………………………………32

Список используемых источников информации……………………...34

Шифр 04 Задача 1 Вариант2

При введении(легировании) в Германий- Сурьмы,а в Кремний- Фосфора возникает электронный тип проводимости,т.к Германий и Кремний элементы 4 группы,а Сурьма и Фосфор 5-ой,следовательно Sb и P являются донорными примесями для Ge и Si. При понижении температуры сопротивление увеличивается,как прямое, так и обратное, а также появляется вероятность механических повреждений кристалла из-за увеличивающейся хрупкости .Так для германиевых диодов допустимый интервал температур окружающей среды лежит в пределах , а для кремниевых в пределах

Шифр 04 Задача 2 Вариант3

Рисунок 1

1.-дрейф дырки

2.-диффузия электрона в результате дрейфа дырки

Процесс востановления связей за счёт перемещения электронов от одного атома к другому,удобно представить в виде противоположно направленного движения дырок,которые имеют положительный заряд.Процесс образования в чистом полупроводнике пары электрон в зоне проводимости-дырка в валентной зоне называется генерацией собственных носителей заряда.

Одновременно с генерацией протекает процесс рекомбинации-встречи электронов с дырками,сопровождающийся возвратом электронов из зоны проводимости в валентную зону и исчезновением свободных зарядов.

Шифр 04 Задача 3 Вариант4

Туннельные диоды.

Туннельные диоды выполняются из полупроводников с большим количеством примесей (вырожденные полупроводники). Вольтамперная характеристика p-n перехода, выполненного на основе вырожденных полупроводников, имеет область с отрицательным сопротивлением, на котором при увеличении напряжения протекающий ток уменьшается. Элемент, обладающий отрицательным сопротивлением, не потребляет электрическую энергию, а отдает ее в цепь, т.е. является активным элементом цепи.

Наличие падающего участка вольтмаперной характеристики позволяет применять туннельные диоды в качестве генераторов и усилителей электрических колебаний широкого диапазона частот, включая СВЧ, и в качестве высокоскоростных переключателей.

Туннельные диоды выполняются из вырожденных полупроводников, главным образом из германия, кремния и арсенида галлия. Т.к. для туннельного перехода носителей сквозь потенциальный барьер p-n переход должен быть узким и резким, то p-n переходы туннельного диода изготавливают методом вплавления. Кроме того, применяется метод эпитаксильного наращивания вырожденных слоев, который также позволяет получить резкие переходы. Для уменьшения емкости (а, следовательно, для повышения верхней граничной частоты, на которой туннельный диод может работать как активный элемент с отрицательным сопротивлением) применяется метод получения p-n переходов малой площади.

Вольт-амперная хар-ка туннельного диода

Вольтамперная характеристика туннельного диода показана на рисунке. Ее вид зависит от концентрации примесей, от рода примесей при одном и том же значении концентрации и от температуры, причем зависимость от температуры различна для туннельных диодов, выполненных из разных материалов.

Основным параметром, характеризующим вольтамперную характеристику туннельного диода, является отрицательное дифференциальное сопротивление, характеризующее наклон падающего участка :

Т. к. туннельное прохождение электронов сквозь потенциальный барьер перехода не связано с медленным процессом диффузии, то скорость передачи туннельного тока очень велика (порядка сек для сильно легированного германия) и в туннельных диодах отсутствует инерционность за счет малой подвижности носителей. Поэтому частотные свойства туннельных диодов определяются не скоростью передачи тока, а только факторами, зависящими от конструкции: емкостью p-n перехода С, сопротивлением потерь , обусловленным объемным сопротивлением полупроводника и выводов, и суммарной индуктивностью диода . Частотные свойства туннельного диода характеризуются максимальной частотой

На частотах выше туннельный диод уже нельзя использ