Радиоэлектроника

  • 381. Передающие спиральные антенны
    Реферат

    [л. 3.стр.291]

  • 382. Передающий модуль бортового ретранслятора станции активных помех
    Реферат

    Список литературы

    1. «Методические указания к курсовому проектированию радиопередающих устройств», Н.С.Давыдова. М.: Изд-во МАИ, 1991г.
    2. ДавыдоваН.С., «Информационное подавление радиоэлектронных систем. Активные помехи, передатчики и станции активных помех». Учебное пособие. М.: Изд-во МАИ, 2002г.
    3. ГрановскаяР.А., «Расчет каскадов радиопередающих устройств». Учебное пособие. М.: Изд-во МАИ, 1993г.
    4. Р.А.Грановская, С.Б.Петров, «Проектирование СВЧ-цепей транзисторных генераторов с внешним возбуждением, выполненных в виде гибридных интегральных схем». Пособие по курсовому проектированию радиопередающих устройств СВЧ. М.: Изд-во МАИ, 1976г.
    5. «Антенны и устройства СВЧ», под ред. Д.И.Воскресенского и др., - М., 1999г.
    6. БорисовВ.Ф., МухинА.А., ЧермошенскийВ.В. и др. Основы конструирования и технологии РЭС: Учебное пособие для курсового проектирования. М.: МАИ, 2000г.
    7. КийкоГ.И., ЛибЮ.Н. Исследование широкополосного транзисторного усилителя мощности с распределенными параметрами. В сб. «Полупроводниковые приборы в технике электросвязи», вып.15, «Связь», 1975г., стр.19-26.
    8. ГрейП., ГрэхемР. «Радиопередатчики». Связь, 1965г., стр. 116-123.
    9. Мощные полупроводниковые приборы. Транзисторы: справочник / Б.А.Бороздин, В.М.Ломакин, В.В.Мокряков и др.: под ред. А.В.Голомедова. М.: Радио и связь, 1985г.
    10. http://mxs.tlk.ru
    11. http://shustikov.by.ru
  • 383. Переходные процессы в электрических цепях
    Информация

    1. Находим токи и напряжения докоммутационного режима для момента времени t = (0). Так как сопротивление индуктивности постоянному току равно нулю, а емкости бесконечности, то расчетная схема будет выглядеть так, как это изображено на рис. 2. Индуктивность закорочена, ветвь с емкостью исключена. Так как в схеме только одна ветвь, то ток i1(0) равен току i3(0), ток i2(0) равен нулю, и в схеме всего один контур.

  • 384. Перечень электротехнических изделий и оборудования (справочник)
    Методическое пособие

    Двигатели асинхронные трехфазные частотно-регулируемые АЧ160М4БПКУХЛ4, АЧ160М4БП2КУХЛ4, АЧ180S4БПКУХЛ4, АЧ180S4БП2КУХЛ4ЛК.01.41.06-90

  • 385. Перспективы связи в Украине
    Информация

    событий не случаен. В последние годы обострилась конкуренция на рынке космической связи. Ведущие МОКС, такие, как «Интерспутник», Inmarsat, fntelsat и другие, неоднократно высказывали свое беспокойство по поводу изменения рыночной ситуации. Это связано с развитием наземных волоконно-оптических сетей связи, созданием конкурирующих систем фиксированной космической связи и появлением систем подвижной спутниковой связи, использующих спутники на низких и средних околоземных орбитах. Для противостояния натиску частных компаний и повышения собственной конкурентоспособности все ведущие МОКС совершенствуют действующие и создают новые системы спутниковой связи. Появление совместного предприятия «Интерспутника» и Lokheed Martin стало логическим завершением двухлетней работы «Интерспутника» по созданию организационной структуры и технической базы для новых перспективных спутников, а также ответом на современные требования рынка спутниковой связи, нашедшие свое отражение в новых тенденциях развития крупных МОКС, Второй раз на протяжении последнего десятилетия «Интерспутник» доказывает свою жизнеспособность. Первый раз вызов его конкурентоспособности бросили происшедшие на рубеже 80-90-х годов глубинные преобразования в странах Центральной и Восточной Европы. Десять лет назад, по единодуш-1 ному решению всех членов, организация продолжила существование и смогла в короткие сроки перейти к коммерческой эксплуатации своей спутниковой системы. Во время этого решающего периода широкий доступ к космическому комплексу «Интерспутника» получили страны, не являющиеся членами организации. Кроме того, использование космического сегмента стало возможным для организации любых типов лицензированных услуг. Существуя в недалеком прошлом лишь благодаря бюджетным инъекциям своих членов, «Интерспутник» полностью себя обеспечивает, принося ежегодную стабильную прибыль. В настоящее время системой «Интерспутник» пользуются более 100 государственных организаций и частных компаний многих стран. Среди последних можно отметить Reuters (Великобритания), Teleglobe (Канада), «НТВ», «НТВ+», «ТВ-Центр», «ACT», «ТВ-6» И ЦБ РФ (Россия). AT&T. DirectNet и IDB (США). Marconi (Португалия) и др. «Интерспутник» - один из ведущих мировых операторов космической связи, который установил долгосрочные партнерские отношения со многими вещательными и телекоммуникационными компаниями во всем мире. Он предоставляет своим пользователям в Атлантическом, Индийском и Тихоокеанском регионах широкий спектр телекоммуникационных услуг, включая обмен телефонным графиком, передачу данных, распределение телевизионного и звукового вещания в международных, национальных и региональных сетях, организацию деловых сетей связи. В настоящее время в системе «Интерспутника» работает более 79 приемопередающих земных станций. Расширение сферы деятельности организации и решение глобальных задач требует значительных инвестиций, что немыслимо сегодня без стратегического партнерства. Таким партнером «Интерспутника» стала компания Lokheed Martin, которая является мировым лидером в сфере разработки и производства спутников связи и спутниковых телекоммуникационных систем.

  • 386. Печатные излучатели
    Информация

    Для выполнения одноканального излучателя возбуждающий штырь располагают вне осей симметрии, что позволяет одновременно возбуждать два низших типа колебаний, соответствующих возбуждению квази-T-волн, распространяющихся вдоль осей симметрии пластинки. Для реализации круговой поляризации поля излучения необходимо обеспечить равенство амплитуд указанных колебаний и фазовый сдвиг, равный 90°. При расчете пользуются эквивалентной схемой, приведенной на рис. 7.4. Для создания необходимого фазового сдвига излучатель расстраивают по каждому типу колебаний так, чтобы фазовый сдвиг между напряжениями на нагруженных отрезках с сопротивлениями Z1,2 (см. рис. 7.4,б) имел заданное значение. Расстройку осуществляют путем изменения размеров пластинки относительно резонансных (один из размеров увеличивают, а другой - уменьшают). Равенство амплитуд колебаний обеспечивается вы бором положения штыря под пластинкой. Требуемое направление вращения плоскости поляризации поля излучения зависит от выбора увеличиваемого (или уменьшаемого) размера при настройке излучателя. Если, например, увеличивается размер а, то реактивная составляющая сопротивления Z1 имеет емкостный характер, a Z2 - индуктивный. Напряжение Uz1 опережает Uz2 на 90°. Поляризация излучаемой волны - правая. Если увеличен размер b, то направление вращения плоскости поляризации меняется на противоположное. Изменить направления вращения плоскости поляризации можно симметричным перемещением штыря (рис. 7.10), при котором фаза одного из колебаний меняется на 180°.

  • 387. Пистолет ПЖ
    Информация
  • 388. Пластики в автомобилестроении
    Информация
  • 389. ПЛИС Xilinx семейства Virtex™
    Дипломная работа

    Интерфейс, поддерживающий этот режим, идентичен интерфейсу подчиненного режима, за исключением того, что для генерации синхросигнала конфигурирования используется внутренний осциллятор FPGA. Частота для этого синхросигнала может быть выбрана из широкого диапазона значений, но по умолчанию всегда используется низкая частота. Переключение на более высокую частоту происходит данными, которые распознаются микросхемой в самом конфигурационном потоке, после чего оставшаяся часть потока загружается уже с новой скоростью. Переключение снова на более низкую частоту запрещается. Частота синхронизации CCLK устанавливается выбором ConfigRate в программе генерации конфигурационного потока. Максимальная частота CCLK, которая может быть выбрана 60 МГц. Выбирая конкретную частоту CCLK, необходимо убедиться, что используемые ПЗУ и все соединенные в цепочку микросхемы FPGA рассчитаны на конфигурирование в таком темпе.

  • 390. Поверка цифрового вольтметра Щ-304
    Информация

     

    1. Вольтметры, выпускаемые промышленностью, содержат преобразователи разных типов: пиковые, квадратичные, средневыпрямленного значений, и, как правило, они градуируются в значениях различных параметров напряжения. Необходимо знать, в каких значениях градуирована шкала вольтметра, и для какого напряжения. Чтобы найти значения параметров напряжения не соответствующих типу преобразователя, необходимо располагать значениями коэффициентов амплитуды и формы.
    2. Измеряя параметры несинусоидального напряжения вольтметром с закрытым входом следует учитывать, что на преобразователь поступает напряжение без постоянной составляющей. Форма этого напряжения отличается от формы входного.
    3. При измерении на ВЧ начинают проявляться резонансные свойства входной цепи вольтметра. Если частота подводимого напряжения приближается к резонансной частоте входной цепи, то напряжение возрастает и превышает подводимое.
    4. При работе вольтметра на инфранизкой частоте появляются погрешности обусловленные инерционностью отдельных узлов, длительностью происходящих в них переходных процессов и изменениями информационного параметра входного сигнала за время, необходимое для его преобразования. При измерении ВЧ напряжения возникают дополнительные погрешности, если от момента переключения входного сигнала до момента запуска ЦВ проходит время меньше, чем необходимо затухания переходных процессов. Поэтому, зная дополнительные характеристики ЦВ и спектральный состав входного сигнала, можно рассчитать значения дополнительных погрешностей измерений.
  • 391. Подготовка и осуществление международных транспортных перевозок
    Информация
  • 392. Полиграф: использование и перспективы развития метода
    Информация
  • 393. Полосно-пропускающий фильтр
    Реферат

    КОММЕНТАРИИ

    • Для обеспечения лучших рабочих характеристик номинальные значения элементов должны выбираться наиболее близкими к выбранным и вычисленным значениям. Рабочая характеристика не изменится, если значения всех сопротивлений умножить, а ёмкостей поделить на общий множитель.
    • Входное полное сопротивление ОУ должно быть по крайней мере 10R3. Коэффициент усиления ОУ с разомкнутой обратной связью должен по крайней мере в 50 раз превышать значение амплитудно-частотной характеристики фильтра на частоте fa наибольшей требуемой частоте в полосе пропускания, а его скорость нарастания (В/мкс) должна в 0,5?а•106 раз превосходить максимальный размах выходного напряжения.
    • Инвертирующий коэффициент усиления
  • 394. Полупроводниковые датчики температуры
    Информация

    6. СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

    1. Трофимов Н.А., Лаппо В.В. Измерение параметров теплофизических процессов в ядерной энергетике.- М.: Атомиздат, 1979.
    2. Датчики теплофизических и механических параметров. Справочник, т.1, кн.1/ Под общ.ред. Коптева Ю.Н., под ред. Багдатьева Е.Е., Гориша А.В., Малкова Я.В.- М.: ИПЖР, 1998.
    3. Виглеб Г. Датчики. М.: Мир, 1989.
    4. Федотов Я.А. Основы физики полупроводниковых приборов. М.: Сов.радио, 1969.
    5. Фогельсон И.Б. Транзисторные термодатчики. М.: Сов.радио, 1972.
    6. Гордов А.Н., Жагулло О.М., Иванова А.Г. Основы температурных измерений. М.: Энергоатомиздат, 1992.
    7. Шефтель И.Т. Терморезисторы. М.: Наука, 1973.
    8. Орлова М.П. Низкотемпературная термометрия. М.: Изд.стандартов, 1975.
    9. Зарубин Л.И., Немиш Ю.И. Полупроводниковая криогенная термометрия. Обзор в кн. Полупроводниковая техника и микроэлектроника. Киев: Наукова думка, 1974, вып.16.
    10. Вайнберг В.В., Воробкало Ф.М., Зарубин Л.И. Полупроводниковый материал для термометров сопротивления на диапазон (14…300) К. Полупроводниковая техника и микроэлектроника, Киев, 1979, вып.30.
    11. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. Кн.1, М.: Мир, 1984.
    12. Велшек Я. Измерение низких температур электрическими методами. М.: Энергия, 1980.
    13. Милнс А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. М.: Мир, 1977.
    14. Соколова А.А., Смирнов Н.И., Ларионов И.Б. Высокочувствительные датчики температуры из кремния, легированного золотом. В кн. Совершенствование средств и методики измерения температуры при стендовых испытаниях изделий. Тезисы отраслевого семинара. Загорск, 1978.
    15. Silicon temperature sensors.- Electron.Appl.News, 1982, v.19, №2.
    16. Raabe G. Silizium temperatur sensoren von 50 C his 350 C NTG Faahber, 1982, №79.
    17. Entre 55 C et 300 C penser au copteur de temperature silizium composauts.- Techniques d`applications mesures 15, №4, 1985.
    18. Mallon I., Germantion D. Advances in high temperature solid pressure transducers Adv. In Instrum., 1970, v.25, part 2.
    19. Папков В.С., Цыбульников М.Б. Эпитаксиальные кремниевые слои на диэлектрических подложках и приборы на их основе. М.: Энергия, 1979.
    20. Суханова Н.Н., Суханов В.И., Юровский А.Я. Полупроводниковые термопреобразователи с расширенным диапазоном рабочих температур. Датчики и системы, №7, 8, 1999.
  • 395. Полупроводниковые диоды
    Информация
  • 396. Полупроводниковые приборы
    Дипломная работа
  • 397. Полупроводниковые приборы (тиристоры,транзисторы, диоды)
    Информация

    Одна из областей тpиода, напpимеp левая, содеpжит обычно в сотни pаз большее количество пpимеси p-типа, чем количество n-пpимеси в n-области. Поэтому прямой ток через pn-пеpеход будет состоять почти исключительно из дыpок, движущихся слева напpаво. Попав в n-область тpиода, дыpки, совеpшающие тепловое движение, диффундируют по направлению к np-переходу, но частично успевают претерпеть рекомбинацию со свободными электронами n-области. Но если n-область узка и свободных электронов в ней не слишком много (не ярко выраженный проводник n-типа), то большинство дырок достигнет второго перехода и, попав в не-го, переместится его полем в правую p-область. У хороших триодов поток дырок, проникающих в правую p-область, составляет 99% и более от потока, проникающего слева в n-область.

  • 398. Полупроводниковые приборы и электронные лампы
    Информация

    Работа триода, как и всякой электронной лампы, основана на существовании потока электронов между катодом и анодом. Сетка - третий электрод - имеет вид проволочной спирали. Она находится ближе к катоду, чем к аноду. Если на сетку подать небольшое отрицательное напряжение, она будет отталкивать часть электронов, летящих от катода к аноду, и сила анодного тока уменьшится. При большом анодном напряжении сетка становится барьером для электронов. Они задерживаются в пространстве между катодом и сеткой, несмотря на то что к катоду приложен минус, а к аноду - плюс источника питания. При положительном напряжении на сетке она будет усиливать анодный ток. Таким образом, подавая различное напряжение на сетку, можно управлять силой анодного тока лампы. Даже незначительные изменения напряжения между сеткой и катодом приведут к значительному изменению силы анодного тока, а следовательно, и к изменению напряжения на нагрузке (например резисторе), включенной в цепь анода. Если на сетку подать переменное напряжение, то за счет энергии источника питания лампа усилит это напряжение. Происходит это потому, что при переменном напряжении между сеткой и катодом постоянный ток в нагрузке лампы изменяется в такт с этим напряжением, причем в значительно большей степени, чем изменяется напряжение на сетке. Если этот ток пропустить через фильтр верхних частот, то на его выходе потечет переменный ток с большей амплитудой колебаний, а на нагрузке появится большее переменное напряжение.

  • 399. Получение разделительной смазки по бетону
    Реферат
  • 400. Получение тонкопленочных электретов на основе фторопласта - 4 и изготовление приборов на их основе
    Дипломная работа

    Указанные процессы находят логическое объяснение в соответствии с положением о существовании на поверхности политетрафторэтилена ориентированных диполей. Прикладываемое к образцам переменное электрическое поле увеличивает амплитуду колебаний дипольных участков молекул на поверхности диэлектрика, а подобное интенсивное молекулярное движение ведет к выталкиванию захваченных электронов с ловушек и, после их рекомбинации, к снижению величины гомозаряда. Также в литературе упоминается изменение свойств электретных пленочных мембран при увеличении степени их натяжения, то есть при изменении деформации молекулярных цепочек, приводящее к ускоренному спаду заряда. Аналогичное явление быстрого спада гомозаряда в мембранах наблюдалось при попытке изготовления головных телефонов на базе заряженных пленок политетрафторэтилена. Создание в пленках политетрафторэтилена ультразвуковых механических упругих деформаций приводило к выбросу электронов с ловушек 0,50,6 эВ и ускоренному спаду эффективной поверхностной плотности заряда. Причем увеличение интенсивности ультразвукового воздействия приводило к нелинейному снижению уровня стабильного заряда. Суммируя наблюдаемые экспериментальные данные можно сказать, что любые воздействия, приводящие к увеличению амплитуды колебаний молекулярных цепочек или их фрагментов (повышение температуры, механическая деформация, электрические или магнитные поля и т.п.), будут способствовать освобождению захваченных этими молекулами электронов и ускоренному спаду гомозаряда. Следует отметить, что уже предпринимались попытки связать характерные особенности электретного эффекта в пленках фторопласт4 и фторопласт10 со структурой и дефектами структуры материала. При этом также предполагалось существование дипольных структур вблизи поверхности пленок. Предполагалось, что внедренные при электретировании электроны захватываются глубокими ловушками, а с более мелких локальных уровней за счет флуктуаций теплового движения освобождаются дырки. Пара электрондырка образует квазидиполь и в целом электрет нейтрален. При поляризации диэлектрика квазидиполь направлен противоположно внешнему полю и ничем не отличается от обычных дипольных молекул. Под действием сильных флуктуаций теплового движения электрон высвобождается из ловушки и диполь разрушается. Разрушение квазидиполей электрондырка происходит также при изменении надмолекулярной структуры фторопластов и при фазовых переходах. Однако модель основывается на предположении, что в материале изначально на ловушках находятся дырки в концентрации достаточной для нейтрализации внедренных электронов. Кроме того, накопление свободных дырок вблизи поверхности, где сосредоточен гомозаряд, при образовании квазидиполей должно приводить к резкому падению поверхностного сопротивления материала, что не отмечалось в практических исследованиях.